Unterschiede
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| - | ====== 2. Dioden und Transistoren ====== | + | ====== 2 Dioden und Transistoren ====== |
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| === Einführendes Beispiel=== | === Einführendes Beispiel=== | ||
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| * **als Podcast**: Verschiedene der hier vorgestellten Aspekte des Silizium PN-Übergangs werden in [[http:// | * **als Podcast**: Verschiedene der hier vorgestellten Aspekte des Silizium PN-Übergangs werden in [[http:// | ||
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| - | {{youtube>YB3pQ7P8SNg?size=543x392}} | + | {{url>https:// |
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| - | {{youtube>HdXaTn-JRCo?size=543x392&start=52}} | + | {{url>https:// |
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| === Schottky-Diode === | === Schottky-Diode === | ||
| Auch bei der Schottky-Diode wird ein anderes Material verwendet. Bei der Silizium-Schottky-Diode wird aber nur auf der bisher p-dotierten Seite ein Metall statt Silizium genutzt. Dadurch entfallen die Löcher als Ladungsträger, | Auch bei der Schottky-Diode wird ein anderes Material verwendet. Bei der Silizium-Schottky-Diode wird aber nur auf der bisher p-dotierten Seite ein Metall statt Silizium genutzt. Dadurch entfallen die Löcher als Ladungsträger, | ||
| - | In den meisten Anwendungen ist die Silizium-Schottky-Diode der Germanium-Diode überlegen. Das Schaltzeichen (< | + | In den meisten Anwendungen ist die Silizium-Schottky-Diode der Germanium-Diode überlegen. Das Schaltzeichen (< |
| === Leistungsdioden === | === Leistungsdioden === | ||
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| <panel type=" | <panel type=" | ||
| - | Die folgende Simulation enthält mehrere Dioden. Es soll ein einfaches Diodenmodell angenommen werden (die Vorwärtsspannung ist konstant $V_F=0.7V$). Die Quellspannung beträgt $U0=45$. | + | Die folgende Simulation enthält mehrere Dioden. Es soll ein einfaches Diodenmodell angenommen werden (die Vorwärtsspannung ist konstant $V_F=0.7V$). Die Quellspannung beträgt $U0=5$. |
| Berechnen Sie die Ströme durch $R1$, $D1$ und $D2$ welche sich in Abhängigkeit der Schalterstellung von $S$ ergibt. | Berechnen Sie die Ströme durch $R1$, $D1$ und $D2$ welche sich in Abhängigkeit der Schalterstellung von $S$ ergibt. | ||