Unterschiede

Hier werden die Unterschiede zwischen zwei Versionen angezeigt.

Link zu dieser Vergleichsansicht

Beide Seiten der vorigen Revision Vorhergehende Überarbeitung
Nächste Überarbeitung 		Vorhergehende Überarbeitung
elektronische_schaltungstechnik:2_transistoren [2022/06/29 13:22]
tfischer 		elektronische_schaltungstechnik:2_transistoren [2023/09/19 23:09] (aktuell)
mexleadmin
Zeile 1: Zeile 1:
-====== 2. Dioden und Transistoren ======+====== 2 Dioden und Transistoren ======
  
 <callout> <callout>
Zeile 9: Zeile 9:
 <WRAP> <WRAP>
 <callout type="info" icon="true"> <callout type="info" icon="true">
 +
 === Einführendes Beispiel=== === Einführendes Beispiel===
 Die Elektronik in PCs, Mobiltelefonen, elektrischen Zahnbürsten und wie allen anderen digitalen Begleitern basiert auf Transitorschaltungen (vgl. [[grundlagen_der_digitaltechnik:im Herzen eines Computers]]). In [[:Grundlagen der Digitaltechnik:start]] wurde bereits erläutert, dass alle logischen Schaltungen über konjunktive und disjunktive Normalform auf NAND bzw. NOR Gatter zurückgeführt werden kann. Diese wiederum bestehen aus Transistoren. In der unten stehenden Simulation ist die Struktur eines NAND-Gatters in der aktuellen CMOS-Struktur dargestellt. CMOS deutet hierbei auf die Struktur der Schaltung und der Halbleiter Struktur hin: **C**omplementary **m**etal-**o**xide-**s**emiconductor - eine gegensätzlich ergänzende Schaltung aus Halbleitern der Struktur Metall-Oxid-Halbleiter.  Die Elektronik in PCs, Mobiltelefonen, elektrischen Zahnbürsten und wie allen anderen digitalen Begleitern basiert auf Transitorschaltungen (vgl. [[grundlagen_der_digitaltechnik:im Herzen eines Computers]]). In [[:Grundlagen der Digitaltechnik:start]] wurde bereits erläutert, dass alle logischen Schaltungen über konjunktive und disjunktive Normalform auf NAND bzw. NOR Gatter zurückgeführt werden kann. Diese wiederum bestehen aus Transistoren. In der unten stehenden Simulation ist die Struktur eines NAND-Gatters in der aktuellen CMOS-Struktur dargestellt. CMOS deutet hierbei auf die Struktur der Schaltung und der Halbleiter Struktur hin: **C**omplementary **m**etal-**o**xide-**s**emiconductor - eine gegensätzlich ergänzende Schaltung aus Halbleitern der Struktur Metall-Oxid-Halbleiter. 
Zeile 42: Zeile 43:
  
 <WRAP right> <WRAP right>
-{{youtube>KjyHta5p9WE?size=543x392}} +{{url>https://thm.cloud.panopto.eu/Panopto/Pages/Embed.aspx?id=e25952d6-1d94-432b-9195-aea500d5c4bc&autoplay=false&offerviewer=true&showtitle=true&showbrand=false&captions=false&interactivity=all" height="405" width="720" style="border: 1px solid #464646;" allowfullscreen allow="autoplay"}}
 </WRAP> </WRAP>
  
Zeile 585: Zeile 585:
 {{elektronische_schaltungstechnik:transistor_frage.png}} {{elektronische_schaltungstechnik:transistor_frage.png}}
  
-<quizlib id="quiz" rightanswers="[['a2'],['a1','a2'], ['a1']]" submit="Antworten überprüfen">+<quizlib id="quiz" rightanswers="[['a2'],['a1','a2'], ['a0','a1']]" submit="Antworten überprüfen">
  
 <question title="Welche der folgenden Aussage(n) ist/sind mit Blick auf das Bild oben richtig?" type="checkbox"> <question title="Welche der folgenden Aussage(n) ist/sind mit Blick auf das Bild oben richtig?" type="checkbox">
-Der Transistor hat intern eine npn-Struktur| +Der Transistor hat intern eine npn-Struktur.| 
-Der Kollektoranschluss ist unten| +Der Kollektoranschluss ist unten.| 
-Es handelt sich um einen Bipolartransistor| +Es handelt sich um einen Bipolartransistor.| 
-Um I_C fließen zu lassen, muss die  Spannung U_BE positiv werden+Um I_C fließen zu lassen, muss die  Spannung U_BE positiv werden.
 </question> </question>
  
 <question title="Welche Aussage(n) zur Bipolartransistoren ist/sind korrekt?" type="checkbox"> <question title="Welche Aussage(n) zur Bipolartransistoren ist/sind korrekt?" type="checkbox">
-Der Strom I_C bzw. die Spannung  U_BC regelt den Stromfluss I_B|+Der Strom I_C bzw. die Spannung  U_BC regelt den Stromfluss I_B.|
 Die Eingangskennlinie eines Bipolartransistors entpricht der einer Diode.| Die Eingangskennlinie eines Bipolartransistors entpricht der einer Diode.|
 Nachteil des Bipolartransistors ist der kontinuierlich notwendige Stromfluss, im leitfähigen Zustand.| Nachteil des Bipolartransistors ist der kontinuierlich notwendige Stromfluss, im leitfähigen Zustand.|
-VCC steht für Voltage Common Connector+VCC steht für Voltage Common Connector.
 </question> </question>
  
 <question title="Welche Aussage(n) zur MOSFETs ist/sind korrekt?" type="checkbox"> <question title="Welche Aussage(n) zur MOSFETs ist/sind korrekt?" type="checkbox">
-MOSFET steht für den Aufbau des Feldeffekttransistors aus Metalloxid und Halbleiter | +MOSFET steht für den Aufbau des Feldeffekttransistors aus Metalloxid und Halbleiter.| 
-Durch die Bodydiode wirkt der MOSFET in eine Richtung wie eine Diode| +Durch die Bodydiode wirkt der MOSFET in eine Richtung wie eine Diode.| 
-Anreicherungstyp MOSFET sind mit $U_{GS} =0V$ leitfähig| +Anreicherungstyp MOSFET sind mit $U_{GS} =0V$ leitfähig.| 
-Bei n-Kanal MOSFETs sind Löcher die Strom-führenden Ladungsträger+Bei n-Kanal MOSFETs sind Löcher die Strom-führenden Ladungsträger.
 </question> </question>
 </quizlib> </quizlib>