Das elektrische Strömungsfeld bezeichnet hier wie gemeinsame (kollektive) Bewegung von Ladungsträgern. Das stationäre Strömungsfeld beschreibt dabei die Ladungsträgerbewegung, wenn eine Gleichspannung die Ursache der Bewegung ist. Im stationären elektrischen Strömungsfeld fließt dann ein konstanter Gleichstrom. Damit gibt es keine Zeitabhängigkeit des Stroms:
$\large{{{\rm d}I}\over{{\rm d}t}}=0$
Wichtig ist auch: Bisher wurde betrachtet, dass die Ladungen sich durch ein Feld bewegt haben, oder zukünftig bewegt werden könnten. Nun wird gerade der Augenblick der Bewegung betrachtet.
Nach dieser Lektion sollten Sie:
Die Stromstärke wurde bisher als „Ladung pro Zeit“ ($I={{{\rm d}Q}\over{{\rm d}t}}$) begriffen. Mikroskopisch betrachtet ist der elektrische Strom die gerichtete Bewegung von elektrischen Ladungsträgern. Im Kapitel Grundlagen und Grundbegriffe sind wir auf das Bild des durch eine Querschnittsfläche $A$ durchdringenden Ladungsträgerstromes bereits eingegangen (siehe Abbildung 1). Weiterhin hatten wir in der Gleichstromtechnik ganz praktisch das ohmsche Gesetz mit $R = {{U}\over{I}}$ angewandt. Nun wissen wir aber, dass aus dem elektrostatischen Feld das die Spannung sich aus der elektrischen Feldstärke herleiten lässt. Wie ist das aber nun beim Strom?
Dazu wird das Paket ${\rm d}Q$ an Ladungen betrachtet, welches zukünftig in dem Zeitraum ${\rm d}t$ die Fläche $A$ passieren wird. Diese Ladungen befinden sich in einem Teilvolumenelement ${\rm d}V$, welches durch die zu durchtretende Fläche $A$ und einem Teilabschnitt ${\rm d}x$ gegeben ist: ${\rm d}V = A \cdot {\rm d}x$. Die Menge an Ladungen pro Volumen wird durch die Ladungsträgerdichte angegeben, speziell bei Metallen durch die Elektronendichte $n_{\rm e}$. Die Elektronendichte $n_{\rm e}$ gibt die Anzahl der freien Elektronen je Volumeneinheit a. Diese liegt z.B. bei Kupfer etwa bei $n_{\rm e}(Cu)=8,47 \cdot 10^{19} ~\rm {{1}\over{mm^3}}$.
Die in dem Teilvolumenelement ${\rm d}V$ enthaltenen, strömenden Ladungen sind dann (mit der Elementarladung $e_0$):
\begin{align*} {\rm d}Q = n_{\rm e} \cdot e_0 \cdot A \cdot {\rm d}x \end{align*}
Die Stromstärke ist dann mit $I={{{\rm d}Q}\over{{\rm d}t}}$:
\begin{align*} {{{\rm d}Q} \over{{\rm d}t}} = n_{\rm e} \cdot e_0 \cdot A \cdot {{{\rm d}x}\over{{\rm d}t}} = n_{\rm e} \cdot e_0 \cdot A \cdot v_e \end{align*}
Es ergibt sich so eine Elektronengeschwindigkeit $v_{\rm e}$ von:
\begin{align*} v_{\rm e} = {{{\rm d}x}\over{{\rm d}t}} = {{I}\over{n_{\rm e} \cdot e_0 \cdot A }} \end{align*}
Die Ladungsträger sind also nun - im Gegensatz zu den Betrachtungen in der Elektrostatik mit endlichen Geschwindigkeiten unterwegs. Mit Blick auf die Elektronengeschwindigkeit $v_{\rm e} \sim {{I}\over{A}}$ liegt es nahe eine (auf die Fläche bezogene) Stromdichte $S$ zu bestimmen:
\begin{align*} \boxed{S = {{I}\over{A}}} \end{align*}
In einigen Büchern wird auch der Buchstabe $J$ für die Stromdichte genutzt.
Wie auch beim elektrostatischen Feld soll auch hier eine homogene Feldform und die inhomogene Feldform gegenübergestellt werden:
Warum ergibt sich aber eine Verdichtung der Äquipotentialflächen bei der Engstelle? Diese bedeutet anschaulich, dass dort eine große Potentialdifferenz, also eine große Spannung abfällt. Das klingt also schon etwas plausibel. Tiefer soll dies gleich nochmal betrachtet werden.
Die Stromdichte wurde nur für eine konstante Querschnittsfläche $A$ bestimmt, durch welche ein homogener Strom, also auch ein homogenes Strömungsfeld, rechtwinklig durchtritt. Nun soll aber ein allgemeiner Ansatz für die elektrische Stromstärke gefunden werden.
Hierzu wird zunächst statt einer konstanten Stromdichte $S$ über einer senkrechten, geraden Querschnittsfläche $A$, eine variierende Stromdichte $S(A)$ über viele kleine Teilflächen $dA$ betrachtet. Damit kann - wenn die Teilflächen hinreichend klein sind - wieder eine konstante Stromdichte über die Teilfläche erhalten werden. Es wird dann also aus
\begin{align*} I = S \cdot A \rightarrow {\rm d}I = S \cdot {\rm d}A \end{align*}
Der Gesamtstrom über eine größere Fläche $A$ ergibt sich somit als:
\begin{align*} I = \int {\rm d}I = \iint_A S \cdot {\rm d}A \end{align*}
Was hierbei aber nicht betrachtet wurde: Die gewählte Fläche $A$ muss nicht zwangsläufig senkrecht auf der Stromdichte $S$ stehen. Um dies zu berücksichtigen, kann der (Teil)Flächennormalenvektor ${\rm d}\vec{A}$ genutzt werden. Wenn nur der Teil der Stromdichte $\vec{S}$ betrachtet werden soll, welcher in Richtung von ${\rm d}\vec{A}$ wirkend, so lässt sich dies über das Skalarprodukt ermitteln:
\begin{align*} I = \int {\rm d}I = \iint_A \vec{S} \cdot {\rm d}\vec{A} \end{align*}
Dies stellt die integrale Schreibweise der elektrischen Stromstärke dar. Mit dieser lässt sich die Stromstärke in einem beliebigen Feld ermitteln.
Für eine „pragmatische“ Herleitung des allgemeinen Materialgesetzes zur Stromdichte soll nun nochmal auf die Verdichtung der Äquipotentialflächen bei der Engstelle eingegangen werden. Zwischen zwei Äquipotentialflächen ist eine Spannungsdifferenz $\Delta U$ vorhanden. Wählt man diese hinreichend klein ergibt sich wieder der Übergang von $\Delta U \rightarrow {\rm d}U$. Durch die Potentialflächen muss aber im Leiter stets der gleiche Strom $I$ fließen. Aus dem Ohm'schen Gesetz ergibt sich dann für den Teilwiderstand ${\rm d}R$ zwischen den zwei Äquipotentialflächen:
\begin{align*} {\rm d}U = I \cdot {\rm d}R \tag{6.1.1} \end{align*}
Die einzelnen Größen sollen nun für infinitesimal kleine Teilstücke betrachtet werden. Für $I$ wurde dazu schon eine Gleichung über eine Dichte - die Stromdichte - gefunden:
\begin{align*} I = S \cdot A \tag{6.1.2} \end{align*}
Aber auch $R$ wurde bereits schon durch eine „Dichte“ - dem spezifischen Widerstand $\varrho$ - ausgedrückt: $ R = \varrho \cdot {{l}\over{A}}$
Wenn ein Leiter aus dem gleichen Material betrachtet wird, ist der spezifische Widerstand $\varrho$ überall gleich. Ist aber nun entlang des Leiters ein Teilstück ${\rm d}s$ vorhanden, bei dem der Querschnitt $A$ kleiner ist, so ändert sich auch der Widerstand $dR$ dieses Teilelements. Der Teilwiderstand ist dann:
\begin{align*} {\rm d}R = \varrho \cdot {{{\rm d}s}\over{A}} \tag{6.1.3} \end{align*}
Konkret heißt dass also für die Engstelle: An der Engstelle steigt der Widerstand. Damit steigt dort auch der Spannungsabfall. Damit gibt es dort auch mehr Äquipotentialflächen.
Die Anreicherung der Äquipotentialflächen wäre damit gelöst. Interessanterweise lässt sich aber mit dem Gedankenmodell nun auch für einen homogenen Körper das allgemeine Materialgesetz erklären. Dazu fügt man Gleichung $(6.1.2)$ und $(6.1.3)$ in $(6.1.1)$ ein. Dann ergibt sich:
\begin{align*} {\rm d}U = I \cdot {\rm d}R = S \cdot A \cdot \varrho \cdot {{{\rm d}s}\over{{A}}} = \varrho \cdot S \cdot {\rm d}s \\ \end{align*}
Wird nun die elektrische Feldstärke als $E={{{\rm d}U}\over{{\rm d}s}}$ eingefügt, erhält man:
\begin{align*} E = {{{\rm d}U}\over{{\rm d}s}} = \varrho \cdot S \end{align*}
Mit einer ausführlicheren (und mathematisch korrekten) Herleitung erhält man:
\begin{align*} \boxed{\vec{E} = \varrho \cdot \vec{S} } \end{align*}
Diese Gleichung drückt aus, wie das elektrische Feld $\vec{E}$ und das (stationäre) elektrische Strömungsfeld $\vec{S}$ zusammenhängen: beide zeigen in die gleiche Richtung. Bei einem vorgegebenen, elektrischen Feld $\vec{E}$ in einem homogenen Leiter wird das Strömungsfeld $\vec{S}$ um so größer, je kleiner der spezifische Widerstand $\varrho$ ist.
Beispiele zur elektrischen Stromdichte
In einem Leiter aus Kupfer mit der Querschnittsfläche $A$ fließt der Strom $I = 20 ~\rm A$.
Gegeben sei weiterhin die Elektronendichte $n_e(Cu)=8,47 \cdot 10^{19} ~\rm {{1}\over{mm^3}}$ und den Betrag der Elementarladung $e_0 = 1,602 \cdot 10^{-19} ~\rm As$
Nach dieser Lektion sollten Sie:
Warum fließt ein Elektronen durch einen Kondensator
Im Simulationsprogramm von Falstad können von Äquipotentialflächen, elektrischer Feldstärke und Stromdichte in verschiedenen Objekten dargestellt werden.