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Block 01 — Vom Schaltplansymbol zum realen Bauteil

Betrachen wir nun die vereinfachte Schaltung etwas genauer.

In der vereinfachten Schaltung fällt ein Bauteil besonders auf:

\[ R_{\rm SENSE}=50~\mathrm{m\Omega}. \]

Ein Widerstand ist wahrscheinlich eines der bekanntesten elektrischen Bauteile.Trotzdem wirft dieser Widerstand bereits mehrere Fragen auf:

  • Warum beträgt sein Widerstand nur wenige Milliohm?
  • Wie groß ist die dadurch entstehende Messspannung?
  • Wie viel Verlustleistung entsteht?
  • Wie warm wird das Bauteil?
  • Warum sind Strommesswiderstände häufig deutlich größer als normale SMD-Widerstände?
  • Warum besitzen manche Shunts vier Anschlüsse?
  • Welchen Einfluss haben Leiterbahn- und Kontaktwiderstände?
  • Welche Angaben müssen in einem Datenblatt geprüft werden?

Damit eignet sich der Widerstand sehr gut als erstes Beispiel für eine zentrale Idee dieses Kurses:

Das ideale Modell ist notwendig, aber für den Aufbau einer realen elektronischen Schaltung nicht ausreichend.

Diese Idee wird uns im gesamten Semester begleiten.

Ein solcher Widerstand sieht in der Schaltung zunächst unspektakulär aus. In der realen Elektronik ist er jedoch alles andere als trivial: Durch ihn fließt der Motorstrom, er erzeugt Verlustwärme, sein Widerstandswert ändert sich mit der Temperatur und selbst Leiterbahnen und Lötstellen können Widerstände in einer ähnlichen Größenordnung besitzen.

Genau an diesem Beispiel soll in diesem Block der Übergang vom idealen Schaltplansymbol zum realen Bauteil betrachtet werden.

Im zweiten Teil wird dieselbe Idee auf Schalter übertragen. Ein idealer Schalter besitzt nur die Zustände „offen“ und „geschlossen“. Reale elektronische Schalter nähern sich diesen Grenzfällen nur an. Aus mehreren gesteuerten Schaltern lassen sich schließlich logische Funktionen aufbauen.

Nach diesem 90-minütigen Block können Sie

  • zwischen Schaltplansymbol, idealisiertem Modell und realem Bauteil unterscheiden,
  • wichtige Angaben eines Widerstandsdatenblatts gezielt finden und interpretieren,
  • aus Verlustleistung und thermischem Widerstand eine Bauteiltemperatur abschätzen,
  • typische SMD- und THT-Bauformen hinsichtlich Größe, Handhabung und Belastbarkeit einordnen,
  • einen Shunt hinsichtlich Messspannung, Verlustleistung und Messbereich bewerten,
  • den Einfluss von Leiterbahn- und Kontaktwiderständen auf eine Milliohm-Messung erklären,
  • den Aufbau und Zweck einer Kelvin-/Vierleitermessung erklären,
  • einen idealen und einen realen Schalter anhand von \(R_{\rm on}\) und \(R_{\rm off}\) unterscheiden,
  • aus gesteuerten Schaltern Inverter, NAND und NOR qualitativ ableiten.

Betrachten Sie die Leit-Schaltung am Beginn dieser Seite.

  • Welche Bauteile und Funktionsgruppen erkennen Sie bereits?
  • Welche Teile der Schaltung können Sie noch nicht erklären?
  • Warum könnte ein Widerstand von nur \(50~\mathrm{m\Omega}\) im Motorstrompfad sinnvoll sein?
  • Welche Informationen würden Sie benötigen, um diesen Widerstand tatsächlich zu bestellen?

Ohmsches Gesetz, elektrische Leistung sowie die lineare Temperaturabhängigkeit von Widerständen werden aus EEE1 vorausgesetzt.

  1. Warm-up (8–10 min): Leit-Schaltung und Shunt betrachten. Was wissen wir aus dem Schaltplansymbol – und was nicht?
  2. Kernkonzepte (55–60 min): reales Bauteil, Datenblatt, Verlustleistung, Temperatur, Bauformen, Shunt und Kelvin-Messung.
  3. Vom Schalter zur Logik (15–18 min): idealer und realer Schalter, Inverter, NAND und NOR.
  4. Geführte Übung (5–10 min): kurze Datenblatt- bzw. Falstad-Aufgabe.
  5. Abschluss (5 min): Zusammenfassung und typische Fehler.
  1. Ein Schaltplansymbol beschreibt nur den Teil eines Bauteils, der für ein bestimmtes Modell relevant ist. Für die reale Bauteilauswahl sind zusätzliche elektrische, thermische und mechanische Angaben notwendig.
  2. Verlustleistung ist erst zusammen mit dem thermischen Aufbau aussagekräftig. Ein elektrischer Wert wie \(P=0.5~\mathrm{W}\) beantwortet noch nicht die Frage, wie warm das Bauteil wird.
  3. Bei Widerständen im Milliohm-Bereich können Leiterbahnen, Lötstellen und Kontaktwiderstände einen wesentlichen Teil des Messfehlers verursachen. Deshalb müssen Strompfad und Messpfad getrennt betrachtet werden.
  4. Ein idealer Schalter besitzt \(R_{\rm on}=0\) und \(R_{\rm off}\rightarrow\infty\). Reale Schalter nähern sich diesen Grenzfällen an; mehrere gesteuerte Schalter bilden die Grundlage digitaler Logik.

Im idealen Modell genügt für einen Widerstand die Beziehung

\[ U=R\cdot I. \]

Damit lässt sich ein großer Teil elektrischer Netzwerke analysieren. Für die Auswahl eines realen Bauteils ist der Wert \(R\) jedoch nur der Anfang.

Ein reales Widerstandsdatenblatt enthält unter anderem folgende Angaben:

  • Nominaler Widerstandswert \(R_N\): der Wert, für den das Bauteil spezifiziert ist.
  • Toleranz \(\Delta R\): die zulässige Abweichung des tatsächlichen Widerstands vom Nennwert bei definierten Referenzbedingungen.
  • Temperaturkoeffizient \(TK\): die Änderung des Widerstandswerts mit der Temperatur.
  • Nennleistung \(P_N\): die maximal zulässige Verlustleistung unter den im Datenblatt genannten Randbedingungen.
  • Thermischer Widerstand \(R_{\rm th}\): eine Beschreibung dafür, wie stark sich die Temperatur bei einer bestimmten Verlustleistung erhöht.
  • Maximale Betriebsspannung \(U_{\rm max}\): die maximal zulässige Spannung am Bauteil.
  • Pulsbelastbarkeit: die zulässige kurzzeitige Belastung.
  • Bauform: mechanische Abmessungen und Anschlussart.
  • Parasitäre Eigenschaften: insbesondere kleine zusätzliche Induktivitäten und Kapazitäten.

Diese Punkte werden im Folgenden nicht als Katalog gelernt. Stattdessen wird jeweils untersucht, wann eine dieser Angaben für eine konkrete Schaltung relevant wird.

Datenblätter lesen

Ein Datenblatt sollte nicht von Seite 1 bis zur letzten Seite „durchgelesen“ werden. Sinnvoller ist eine konkrete Fragestellung.

Für einen Widerstand kann die Suche beispielsweise so beginnen:

  1. Welchen Widerstandswert benötige ich?
  2. Welche Toleranz ist für meine Anwendung zulässig?
  3. Welche Verlustleistung entsteht?
  4. Wie warm darf das Bauteil werden?
  5. Welche Bauform kann gefertigt bzw. handgelötet werden?
  6. Gibt es besondere Angaben zur Pulsbelastung oder zum Layout?

Datenblattstrategie: Zuerst die Schaltungsanforderung formulieren, danach gezielt die dazugehörigen Angaben im Datenblatt suchen. Ein Zahlenwert ohne seine Randbedingungen ist häufig wertlos.

Betrachten wir zunächst den Widerstand aus der Leit-Schaltung. Dieser soll aus dem Strom ein Spannungssignal generieren. Solche Messwiderstände werden auch Shunt genannt.

Der genutzte Shunt mit $R_{\rm SENSE}=50~\mathrm{m\Omega}$ wandelt beispielsweise einem Motorstrom von $I_{\rm M}=3~\mathrm{A}$ in eine Spannung von $U_{\rm M}=150 ~\mathrm{mV}$

Dabei entsteht aber auch eine Verlustleistung von

\[ P_{\rm SENSE}=I_{\rm M}^2R_{\rm SENSE} =(3~\mathrm{A})^2\cdot50~\mathrm{m\Omega} =450~\mathrm{mW}. \]

Die Zahl \(450~\mathrm{mW}\) sagt jedoch noch nicht, ob der Widerstand dafür geeignet ist.
Die elektrische Verlustleistung wird überwiegend in Wärme umgesetzt. Damit stellt sich die nächste Frage:

Wie stark erwärmt sich das Bauteil bei dieser Verlustleistung?

Um diese Frage zu beantworten, hilft eine Analogie zur elektrischen Schaltung.
In vielen technischen Systemen lässt sich ein Fluss durch die Beziehung

\[ \text{Potentialdifferenz} = \text{Widerstand} \cdot {{d ( \text{Transportgröße})}\over{d \rm t}} \]

beschreiben.

Für den elektrischen Strom gilt beispielsweise

\[ U = R\cdot I. \]

Die Spannungsdifferenz \(U\) treibt dabei den elektrischen Strom \(I\) durch den elektrischen Widerstand \(R\).

Eine sehr ähnliche Beschreibung lässt sich für den Wärmetransport verwenden:

\[ \Delta T = R_{\rm th}\cdot \dot Q. \]

Dabei bezeichnet

  • \(\Delta T\) die Temperaturdifferenz zwischen zwei thermischen Punkten,
  • \(R_{\rm th}\) den thermischen Widerstand zwischen diesen Punkten und
  • \(\dot Q\) den Wärmestrom.

Die Einheit des thermischen Widerstands ist

\[ [R_{\rm th}] = \frac{\mathrm{K}}{\mathrm{W}}. \]

Ein thermischer Widerstand von beispielsweise $R_{\rm th}=80~\mathrm{K/W}$ bedeutet: Fließt ein Wärmestrom von \(1~\mathrm{W}\) durch diesen thermischen Pfad, entsteht zwischen seinen Endpunkten eine Temperaturdifferenz von \(80~\mathrm{K}\).

Im stationären Zustand muss die im Widerstand erzeugte Verlustleistung als Wärme an die Umgebung abgegeben werden. Für eine vereinfachte Betrachtung kann deshalb

\[ \dot Q \approx P_{\rm Verlust} \]

gesetzt werden.

Damit erhält man

\[ \Delta T=P_{\rm Verlust}\cdot R_{\rm th}. \]

Die Temperatur des Bauteils ergibt sich dann näherungsweise zu

\[ T_{\rm Bauteil} = T_{\rm Umgebung} + P_{\rm Verlust}\cdot R_{\rm th}. \]

Diese Beziehung ist das thermische Gegenstück zum Ohmschen Gesetz.

Wichtig: Ein thermischer Widerstand beschreibt immer einen Wärmepfad zwischen zwei definierten Punkten.

Beispiele sind etwa

  • Bauteil → Umgebung,
  • Sperrschicht → Gehäuse,
  • Gehäuse → Kühlkörper.

Ein Wert für \(R_{\rm th}\) ist daher nur zusammen mit der Angabe sinnvoll, zwischen welchen Punkten er gilt.

Angenommen, für den betrachteten Aufbau gilt näherungsweise

\[ R_{\rm th}=80~\mathrm{K/W}. \]

Bei

\[ P_{\rm Verlust}=450~\mathrm{mW} \]

ergibt sich eine Temperaturerhöhung von

\[ \Delta T = 0.45~\mathrm{W} \cdot 80~\mathrm{K/W} = 36~\mathrm{K}. \]

Bei einer Umgebungstemperatur von

\[ T_{\rm Umgebung}=40^\circ\mathrm{C} \]

folgt damit

\[ T_{\rm Bauteil} \approx 40^\circ\mathrm{C}+36~\mathrm{K} = 76^\circ\mathrm{C}. \]

Die Temperaturdifferenz kann dabei sowohl in Kelvin als auch in Grad Celsius angegeben werden:

\[ \Delta T=36~\mathrm{K}=36^\circ\mathrm{C}. \]

Für absolute Temperaturen müssen Kelvin und Grad Celsius dagegen unterschieden werden.

Die Rechnung ist bewusst ein vereinfachtes stationäres Modell. In einem realen SMD-Bauteil existieren mehrere Wärmepfade gleichzeitig. Wärme kann beispielsweise über die Anschlüsse in die Kupferflächen der Leiterplatte, über das Gehäuse an die Luft und über weitere mechanische Verbindungen abgegeben werden.

Deshalb hängt der effektive thermische Widerstand unter anderem von

  • Kupferfläche und Leiterbahnbreite,
  • Leiterplattendicke und Lagenaufbau,
  • Padgeometrie,
  • Luftströmung,
  • Einbaulage und
  • benachbarten Wärmequellen

Derating

Die im Datenblatt angegebene Nennleistung gilt üblicherweise nur unter definierten thermischen Bedingungen. Oberhalb einer bestimmten Umgebungs- oder Anschlusstemperatur muss die zulässige Verlustleistung $\rm P$ reduziert werden (siehe figure 1).

Diese Reduzierung wird als Derating bezeichnet.

Fig. 1: Derating elektronische_schaltungstechnik:block01_deratingv01.svg

Temperaturabhängigkeit des Widerstandswerts

Die lineare Temperaturabhängigkeit von Widerständen wurde bereits in EEE1 behandelt:

\[ R(T)=R(T_0)\left[1+\alpha(T-T_0)\right]. \]

Für Präzisions- und Shunt-Widerstände ist diese Beschreibung im üblichen Arbeitsbereich häufig ausreichend.

Bei stark temperaturabhängigen Bauteilen, insbesondere NTC-Thermistoren, wird dagegen häufig ein exponentielles Modell verwendet:

\[ R(T)=R(T_0)\exp\left[B\left(\frac1T-\frac1{T_0}\right)\right]. \]

Eine allgemeinere Arrhenius-artige Darstellung lautet

\[ R(T)=A\exp\left(\frac{B}{T}\right). \]

Die Konstante $B$ wird mit der Einheit $\rm K$ angegeben; damit die Temperatur ist ebenso in Kelvin einzusetzen.

Abmaße

Für denselben Widerstandswert sind häufig viele unterschiedliche Bauformen verfügbar. Ein \(10~\mathrm{k\Omega}\)-Widerstand kann beispielsweise als 0402, 0603, 0805, 1206 oder als bedrahtetes Bauteil ausgeführt sein.

Bei SMD-Bauteilen ist zwischen imperialen und metrischen Baugrößenbezeichnungen zu unterscheiden:

imperial metrisch typische Abmessung
0402 1005 ca. \(1.0\times0.5~\mathrm{mm}\)
0603 1608 ca. \(1.6\times0.8~\mathrm{mm}\)
0805 2012 ca. \(2.0\times1.25~\mathrm{mm}\)
1206 3216 ca. \(3.2\times1.6~\mathrm{mm}\)

Gerade in CAD-Systemen wie KiCad kann dies zu Verwechslungen führen: 0603 imperial entspricht ungefähr 1608 metric.

Die kleinste Bauform ist nicht automatisch die beste Wahl. Eine kleinere Bauform benötigt weniger Leiterplattenfläche, ist aber schwieriger zu handhaben und besitzt häufig eine geringere thermische Belastbarkeit.

Die folgenden Werte sind nur typische Größenordnungen; für eine reale Auswahl ist das Datenblatt entscheidend.

Bauform Handlöten typische Nennleistung typische Verwendung
0402 / 1005Metric schwierig ca. \(50\dots100~\mathrm{mW}\) hohe Packungsdichte
0603 / 1608Metric mit Übung gut möglich ca. \(100~\mathrm{mW}\) Standard-SMD
0805 / 2012Metric gut ca. \(125~\mathrm{mW}\) Entwicklung und universelle Anwendungen
1206 / 3216Metric sehr gut ca. \(250~\mathrm{mW}\) höhere Belastbarkeit, Prototypen
THT 1/4 W sehr einfach typ. \(250~\mathrm{mW}\) Handaufbau, Lehre, Prototypen

Wichtig: Die Bauform allein legt die Nennleistung nicht fest. Zwei 1206-Widerstände können je nach Technologie und Hersteller deutlich unterschiedliche Leistungsgrenzen besitzen.

Bei einem Shunt kommt ein bezüglich der Baugröße weiterer Punkt hinzu: Ein sehr kleiner Widerstandswert $R$ bedeutet nicht, dass auch das Bauteil klein sein kann. Der Widerstand muss unter Umständen mehrere Ampere führen und dabei die entstehende Wärme abgeben.

Spezialfall: Shunt

Wie oben bereits schon bereichnet wandelt ein Shunt wandelt einen Strom in eine messbare Spannung um.
In unserem Beispiel ergibt sich über $R_{\rm SENSE}=50~\mathrm{m\Omega}$ bei einem Strpm von $I_{\rm M}=3~\mathrm{A}$ eine Spannnung von $U_{\rm SENSE}=150~\mathrm{mV}$.

Aber: Warum wird nicht einfach ein deutlich größerer Widerstand verwendet, um ein größeres Messsignal zu erhalten?

Bei einem Shunt wirken zwei Anforderungen gegeneinander.

Eigenschaft Kleiner \(R_{\rm SENSE}\) Großer \(R_{\rm SENSE}\)
Messspannung \(U_{\rm SENSE}=I\cdot R_{\rm SENSE}\) − klein + groß
Eigenerwärmung / Verlustleistung \(P=I^2R_{\rm SENSE}\) + gering − hoch
Spannungsabfall im Lastpfad + gering − groß
Empfindlichkeit gegenüber Störungen − höher + geringer
Anforderungen an Verstärker und Layout − höher + geringer

Der Shunt muss daher so gewählt werden, dass die Messspannung ausreichend groß ist, ohne den Laststromkreis durch Spannungsabfall und Verlustleistung unnötig stark zu beeinflussen.

Shunt mit vier Anschlüssen

Bei Widerständen im Kiloohm-Bereich kann der Widerstand einer Leiterbahn normalerweise vernachlässigt werden. Bei einem Shunt im Milliohm-Bereich gilt dies nicht mehr.

Für eine Leiterbahn gilt näherungsweise

\[ R=\rho\frac{l}{A} =\rho\frac{l}{b\cdot d}. \]

Eine Kupferleiterbahn mit

\[ l=50~\mathrm{mm},\qquad b=1~\mathrm{mm},\qquad d=35~\mu\mathrm{m} \]

besitzt ungefähr

\[ R_{\rm Leiterbahn}\approx25~\mathrm{m\Omega}. \]

Damit liegt allein der Leiterbahnwiderstand bereits in derselben Größenordnung wie ein kleiner Shunt.

Wird die Spannung an den falschen Punkten gemessen, enthält das Messergebnis daher nicht nur den Spannungsabfall des Shunts, sondern zusätzlich Spannungsabfälle an Leiterbahnen, Kontakten und Lötstellen.

Fig. 2: Vierleiteranschluss eines Shunt-Widerstands elektronische_schaltungstechnik:block01_vierleiterv01.svg

Beim Vierleiter- oder Kelvin-Anschluss werden Laststrom und Spannungsmessung getrennt geführt. Zwei Anschlüsse führen den großen Laststrom. Zwei separate Sense-Leitungen erfassen die Spannung möglichst direkt am Widerstandselement.

Da der Eingang der nachfolgenden Messschaltung hochohmig ist, fließt durch die Sense-Leitungen nur ein sehr kleiner Strom. Ihr eigener Leitungswiderstand erzeugt deshalb praktisch keinen zusätzlichen Spannungsabfall.

Datenblattbeispiel

Exercise E01.1 Datenblatt eines realen Shunt-Widerstands

Für die Leit-Schaltung wird ein Strommesswiderstand von $R_{\rm SENSE}=50~\mathrm{m\Omega}$ benötigt.
Als reales Beispiel wird die Vierleiter-Shunt-Serie Ohmite FC4L betrachtet: Ohmite FC4L Series

Betrachten Sie insbesondere den Typ FC4L32.



1. Prüfen Sie, ob ein Widerstandswert von \(50~\mathrm{m\Omega}\) in dieser Baureihe verfügbar ist. Geben Sie außerdem Nennleistung, Toleranz und Temperaturkoeffizient an.

Solution

Für den FC4L32 ist ein Widerstandsbereich von $4~\mathrm{m\Omega}\dots500~\mathrm{m\Omega}$ mit einer Toleranz von $\pm1~\%$ und einem Temperaturkoeffizienten von $\pm50~\mathrm{ppm/K}$ angegeben.

Damit ist $R=50~\mathrm{m\Omega}$ verfügbar.

Die Nennleistung des FC4L32 beträgt

\[ P_N=1~\mathrm{W}. \]

2. Bestimmen Sie die Abmessungen des FC4L32 und ordnen Sie die Baugröße ungefähr einer bekannten SMD-Bauform zu.

Solution

Für den FC4L32 gibt das Datenblatt ungefähr

\[ L=3.2~\mathrm{mm} \]

und

\[ W=1.6~\mathrm{mm} \]

an.

Damit entspricht die Größe ungefähr einer 1206-Bauform bzw. metrisch 3216.

Wichtig ist jedoch, dass es sich konstruktiv nicht um einen gewöhnlichen Zweileiter-1206-Widerstand handelt, sondern um einen Vierleiter-Shunt.

3. Erklären Sie anhand der Zeichnung im Datenblatt, welche Anschlüsse den Laststrom führen und welche Anschlüsse zur Spannungsmessung verwendet werden.

Solution

Das Datenblatt unterscheidet zwischen

  • I terminals für den Laststrom und
  • V terminals für die Spannungsmessung.

Die größeren Anschlüsse führen den eigentlichen Strom durch das Widerstandselement.

Die kleineren Sense-Anschlüsse erfassen die Spannung direkt am Widerstandselement. Da durch den Eingang der Messschaltung praktisch kein Strom fließt, verursachen Widerstände in den Sense-Leitungen nahezu keinen zusätzlichen Spannungsabfall.

Damit wird eine Kelvin- bzw. Vierleitermessung ermöglicht.

4. Für die Leit-Schaltung fließt ein Motorstrom von $I_{\rm M}=3~\mathrm{A}$.
Bestimmen Sie die Verlustleistung im Shunt.

Solution

Es gilt

\[ P_{\rm SENSE}=I_{\rm M}^2R_{\rm SENSE}. \]

Damit ergibt sich

\[ P_{\rm SENSE} = (3~\mathrm{A})^2\cdot50~\mathrm{m\Omega} = 0.45~\mathrm{W}. \]

Also:

\[ \boxed{P_{\rm SENSE}=450~\mathrm{mW}} \]

5. Vergleichen Sie die Verlustleistung mit der Nennleistung des FC4L32. Ist der Widerstand bei niedriger Umgebungstemperatur grundsätzlich geeignet?

Solution

Die Nennleistung beträgt

\[ P_N=1~\mathrm{W}. \]

Die auftretende Verlustleistung ist

\[ P_{\rm SENSE}=0.45~\mathrm{W}. \]

Damit gilt

\[ \frac{P_{\rm SENSE}}{P_N} = \frac{0.45~\mathrm{W}}{1~\mathrm{W}} = 45~\%. \]

Bei einer Umgebungstemperatur, bei der noch \(100~\%\) der Nennleistung zulässig sind, ist der Widerstand daher grundsätzlich geeignet.

Die reine Aussage

\[ 0.45~\mathrm{W}<1~\mathrm{W} \]

ist jedoch noch nicht ausreichend, da zusätzlich das Derating berücksichtigt werden muss.

6. Betrachten Sie die Derating-Kennlinie. Bis zu welcher Umgebungstemperatur ist die volle Nennleistung zulässig? Wie verändert sich die zulässige Leistung bei höheren Temperaturen?

Solution

Für die FC4L-Serie ist die volle Nennleistung bis zu einer Umgebungstemperatur von

\[ T_{\rm amb}=70^\circ\mathrm{C} \]

zulässig.

Oberhalb von \(70^\circ\mathrm{C}\) wird die zulässige Leistung reduziert. Für die meisten FC4L-Typen fällt sie näherungsweise linear und erreicht bei

\[ 155^\circ\mathrm{C} \]

den Wert null.

Damit hängt die zulässige Verlustleistung oberhalb von \(70^\circ\mathrm{C}\) direkt von der Umgebungstemperatur ab.

7. Schätzen Sie aus der linearen Derating-Kennlinie ab, welche Leistung bei \(T_{\rm amb}=110^\circ\mathrm{C}\) noch zulässig ist.

Solution

Zwischen

\[ 70^\circ\mathrm{C} \]

und

\[ 155^\circ\mathrm{C} \]

fällt die zulässige Leistung von \(100~\%\) auf \(0~\%\).

Die verbleibende Leistung bei \(110^\circ\mathrm{C}\) kann näherungsweise linear bestimmt werden:

\[ p_{\rm rel} = \frac{155^\circ\mathrm{C}-110^\circ\mathrm{C}} {155^\circ\mathrm{C}-70^\circ\mathrm{C}} \]

\[ p_{\rm rel} = \frac{45}{85} \approx0.53. \]

Damit sind noch ungefähr

\[ 53~\% \]

der Nennleistung zulässig.

Für den FC4L32 mit

\[ P_N=1~\mathrm{W} \]

ergibt sich damit näherungsweise

\[ P_{\rm max}(110^\circ\mathrm{C}) \approx0.53~\mathrm{W}. \]

Die Verlustleistung der Leit-Schaltung von

\[ 0.45~\mathrm{W} \]

liegt noch darunter, allerdings nur mit deutlich kleinerer thermischer Reserve als bei niedriger Umgebungstemperatur.

8. Das Datenblatt gibt für den FC4L32 bei Widerstandswerten zwischen \(10~\mathrm{m\Omega}\) und \(500~\mathrm{m\Omega}\) eine Inrush-Leistung von \(12.5~\mathrm{W}\) und einen maximalen Strom von \(24~\mathrm{A}\) an. Welche Aussage lässt sich daraus für einen \(50~\mathrm{m\Omega}\)-Shunt ableiten?

Solution

Die Inrush-Angabe beschreibt eine kurzzeitige Belastbarkeit und darf nicht mit der kontinuierlichen Nennleistung von \(1~\mathrm{W}\) verwechselt werden.

Aus

\[ I=\sqrt{\frac{P}{R}} \]

ergibt sich für \(P=12.5~\mathrm{W}\) und \(R=50~\mathrm{m\Omega}\)

\[ I = \sqrt{\frac{12.5~\mathrm{W}}{0.05~\Omega}} = \sqrt{250} \approx15.8~\mathrm{A}. \]

Dieser Wert liegt unter der zusätzlichen Stromgrenze von \(24~\mathrm{A}\).

Damit ist für diesen Widerstandswert die Inrush-Leistung und nicht die absolute Stromgrenze bestimmend.

Der Wert darf jedoch nur für die im Datenblatt angegebenen Pulsbedingungen verwendet werden und nicht als zulässiger Dauerstrom interpretiert werden.

9. Bewerten Sie abschließend, ob der FC4L32 mit \(50~\mathrm{m\Omega}\) für den betrachteten Betriebspunkt von \(3~\mathrm{A}\) geeignet erscheint.

Solution

Für den Betriebspunkt gilt:

\[ R_{\rm SENSE}=50~\mathrm{m\Omega} \]

\[ I_{\rm M}=3~\mathrm{A} \]

\[ P_{\rm SENSE}=0.45~\mathrm{W}. \]

Der FC4L32 besitzt eine Nennleistung von

\[ P_N=1~\mathrm{W}. \]

Damit liegt die Verlustleistung bei niedriger Umgebungstemperatur deutlich unterhalb der Nennleistung.

Zusätzlich bietet der Widerstand

  • einen passenden Widerstandswert,
  • einen integrierten Vierleiteranschluss,
  • eine Toleranz von \(\pm1~\%\),
  • einen TCR von \(\pm50~\mathrm{ppm/K}\) und
  • eine deutlich höhere kurzzeitige Belastbarkeit.

Der FC4L32 erscheint daher für den betrachteten Betriebspunkt grundsätzlich geeignet.

Für eine endgültige Bauteilauswahl müssten zusätzlich insbesondere die reale Umgebungstemperatur, das Leiterplattenlayout, die erwarteten Stromspitzen und die geforderte Messgenauigkeit betrachtet werden.

Vom realen Schalter zur Logik

Digitale Signale werden häufig mit den Zuständen HIGH und LOW beschrieben. Physikalisch stehen dahinter jedoch keine abstrakten Zustände, sondern Spannungen.

Ein Logikgatter muss daher zwei Aufgaben erfüllen:

  • Eingangsspannungen als HIGH oder LOW erkennen und
  • am Ausgang wieder eine entsprechende Spannung erzeugen.

Im einfachsten Modell kann man sich den Ausgang eines Logikgatters als Schalter vorstellen, der den Ausgang entweder mit der positiven Versorgungsspannung oder mit dem Bezugspotential verbindet.

Was bedeutet HIGH und LOW?

In Schaltplänen und Simulationen werden digitale Zustände häufig mit H für HIGH und L für LOW bezeichnet.

Im einfachsten idealisierten Modell gilt beispielsweise bei einer Versorgung von $5~\mathrm{V}$: $L \rightarrow 0~\mathrm{V}$ und $H \rightarrow 5~\mathrm{V}$.

In einer realen Digitalschaltung ist diese Zuordnung jedoch nicht so scharf. Ein Eingang erkennt vielmehr zwei Spannungsbereiche:

  • Spannungen unterhalb einer Grenze $V_{\rm IL}$ werden sicher als LOW erkannt.
  • Spannungen oberhalb einer Grenze $V_{\rm IH}$ werden sicher als HIGH erkannt.
  • Dazwischen liegt ein Bereich, in dem der logische Zustand nicht eindeutig definiert ist.

HIGH und LOW sind logische Zustände – keine festen Spannungswerte.

Welche Spannungen als HIGH bzw. LOW erkannt werden, hängt von der verwendeten Logikfamilie und der Versorgungsspannung ab.

VCC und VDD

Die positive Versorgungsspannung digitaler Schaltungen wird häufig mit $V_{\rm CC}$ oder $V_{\rm DD}$ bezeichnet.

Die Bezeichnungen stammen ursprünglich aus unterschiedlichen Transistortechnologien:

  • $V_{\rm CC}$ stammt aus Schaltungen mit Bipolartransistoren und bezeichnet die Versorgung auf der Kollektorseite.
  • $V_{\rm DD}$ stammt aus MOS-Schaltungen und bezeichnet die Versorgung auf der Drain-Seite.

Als Bezugspotential findet man entsprechend Bezeichnungen wie $V_{\rm EE}$ oder $V_{\rm SS}$.

In vielen heutigen Digitalschaltungen gilt näherungsweise $V_{\rm SS}=0~\mathrm{V}$ und beispielsweise $V_{\rm DD}=3.3~\mathrm{V}$ oder $V_{\rm DD}=5~\mathrm{V}$.

$V_{\rm DD}$ bzw. $V_{\rm CC}$ ist die Versorgungsspannung der Schaltung.

  • Ein HIGH-Pegel liegt häufig nahe an dieser Spannung, ist aber nicht automatisch exakt gleich $V_{\rm DD}$ bzw. $V_{\rm CC}$.
  • Ebenso liegt auch ein LOW-Pegel nicht exakt bei $0~\mathrm{V}$

In Datenblättern finden sich deshalb Bereiche, welche Spannungswerte als HIGH und LOW gewertet werden.

Schalter: Öffner und Schließer

Im folgenden wird die Logik durch die vereinfachte Schalterschaltung dargestellt. Auch ein Schalter ist zunächst nur ein Modell.

  • Ein ideal geschlossener Schalter besitzt $R_{\rm on}=0$. An ihm fällt keine Spannung ab und er erzeugt keine Verlustleistung.
  • Ein ideal geöffneter Schalter besitzt dagegen $R_{\rm off}\rightarrow\infty$. Durch ihn fließt kein Strom.

Ein realer Schalter erreicht beide Grenzfälle nicht vollständig:

\[ R_{\rm on}>0, \qquad R_{\rm off}<\infty. \]

Im eingeschalteten Zustand entstehen daher Leitverluste. Im ausgeschalteten Zustand kann ein kleiner Leckstrom fließen.

Diese Beschreibung wird später beim MOSFET erneut wichtig. Dort wird aus dem abstrakten \(R_{\rm on}\) der Datenblattwert \(R_{\rm DS(on)}\).

Ein Schließer stellt bei Betätigung eine Verbindung her. Ein Öffner unterbricht eine bestehende Verbindung.

Aus gesteuerten Öffnern und Schließern können logische Funktionen aufgebaut werden.

Der Inverter

Die einfachste logische Schaltung ist der Inverter.

Ein Inverter besitzt einen Eingang \(X\) und einen Ausgang \(Y\). Ist der Eingang LOW, wird der Ausgang HIGH. Ist der Eingang HIGH, wird der Ausgang LOW.

Eingang \(X\) Ausgang \(Y\)
L H
H L

Das interessante Detail ist hier nicht die Wahrheitstabelle, sondern die elektrische Umsetzung.

Simulation: Inverter aus komplementären Schaltern

Die Schaltung ähnelt bereits einer Halbbrücke: Ein Schalter verbindet den Ausgang mit der positiven Versorgung, der andere mit Masse.
Auch hier dürfen niemals beide Schalter dauerhaft gleichzeitig eingeschaltet sein, um einen Kurzschluss der Versorgungsspannungsquelle zu vermeiden.

Genau dieses Prinzip begegnet uns später bei der MOSFET-H-Brücke erneut.

Mehrere Schalter: AND, OR und ihre Negationen

Mehrere Schalter können in Reihe oder parallel geschaltet werden.

Bei einer Reihenschaltung kann ein Strompfad nur entstehen, wenn alle notwendigen Schalter geschlossen sind. Dieses Verhalten entspricht der Grundidee eines AND-Gatters.

Simulation: AND mit Schaltern

\(X_0\) \(X_1\) AND
L L L
L H L
H L L
H H H

Bei einer Parallelschaltung genügt dagegen bereits ein geschlossener Pfad. Dieses Verhalten entspricht der Grundidee eines OR-Gatters.

Simulation: OR mit Schaltern

\(X_0\) \(X_1\) OR
L L L
L H H
H L H
H H H

NAND und NOR

Werden die Ausgänge von AND bzw. OR anschließend invertiert, entstehen NAND und NOR.

Beim NAND ist der Ausgang nur dann LOW, wenn beide Eingänge HIGH sind.

\(X_0\) \(X_1\) NAND
L L H
L H H
H L H
H H L

Simulation: NAND mit Schaltern

Beim NOR ist der Ausgang nur dann HIGH, wenn beide Eingänge LOW sind.

\(X_0\) \(X_1\) NOR
L L H
L H L
H L L
H H L

Für diesen Kurs ist nicht entscheidend, die algebraische Darstellung der einzelnen Gatter auswendig zu lernen.

Wichtig ist vielmehr:

  • welche Spannungsbereiche HIGH und LOW repräsentieren,
  • wie Schalter daraus logische Zustände erzeugen,
  • welche Ausgangszustände sich aus den Eingangszuständen ergeben und
  • dass auch Logikgatter letztlich aus realen Transistoren mit endlichen Widerständen und Schaltzeiten bestehen.

Der Zusammenhang ist für die spätere Motortreiberschaltung wichtig: Die Logik auf der linken Seite und die Leistungstransistoren auf der rechten Seite können beide als Netzwerke gesteuerter Schalter verstanden werden. Die Leistungsniveaus und die Anforderungen an die realen Schalter unterscheiden sich jedoch erheblich.

  • Nennwert und tatsächlichen Wert gleichsetzen: Die Toleranz beschreibt bereits bei Referenzbedingungen eine mögliche Abweichung.
  • Nennleistung ohne Randbedingungen verwenden: Eine Leistungsangabe gilt nur für die im Datenblatt angegebenen thermischen Bedingungen.
  • Bauteilgröße mit fester Leistung verknüpfen: Eine Bauform gibt keine allgemeingültige Nennleistung vor.
  • 0603 als eindeutige Größenangabe verstehen: Es muss zwischen imperialer und metrischer Bezeichnung unterschieden werden.
  • Leiterbahnen als ideale Leiter betrachten: Bei Milliohm-Shunts können Leiterbahn- und Kontaktwiderstände einen erheblichen Messfehler erzeugen.
  • Kelvin-Sense zu weit vom Widerstand abgreifen: Die Sense-Leitungen müssen den Spannungsabfall möglichst direkt am Widerstandselement erfassen.
  • Reale Schalter mit idealen Grenzfällen verwechseln: Reale Schalter besitzen endliches \(R_{\rm on}\) und \(R_{\rm off}\).

Exercise E01.2 Shunt: Messspannung und Verlustleistung

Ein Strommesswiderstand mit \(R_{\rm SENSE}=50~\mathrm{m\Omega}\) wird von einem Strom von \(I=3~\mathrm{A}\) durchflossen.

  1. Bestimmen Sie die Messspannung \(U_{\rm SENSE}\).
  2. Bestimmen Sie die Verlustleistung \(P_{\rm SENSE}\).
  3. Erläutern Sie, warum ein größerer Shunt nicht automatisch die bessere Wahl ist.

Exercise E01.3 Bauteiltemperatur

Ein Widerstand setzt \(P=300~\mathrm{mW}\) um. Für den betrachteten Aufbau gilt näherungsweise \(R_{\rm th}=120~\mathrm{K/W}\). Die Umgebungstemperatur beträgt \(T_{\rm U}=50^\circ\mathrm{C}\).

  1. Bestimmen Sie die Temperaturerhöhung.
  2. Bestimmen Sie die erwartete Bauteiltemperatur.
  3. Nennen Sie zwei Randbedingungen, welche die reale Temperatur zusätzlich beeinflussen.

Exercise E01.4 Realer Schalter

Ein elektronischer Schalter besitzt im eingeschalteten Zustand \(R_{\rm on}=50~\mathrm{m\Omega}\). Durch ihn fließt ein Strom von \(I=4~\mathrm{A}\).

  1. Bestimmen Sie den Spannungsabfall.
  2. Bestimmen Sie die Verlustleistung.
  3. Vergleichen Sie das Ergebnis mit dem idealen Schalter.

Exercise E01.5 Zwei- und Vierleitermessung

Untersuchen Sie die Falstad-Simulation aus Abschnitt 1.1.5.

  1. Vergleichen Sie die gemessene Spannung bei Zwei- und Vierleitermessung.
  2. Verdoppeln Sie den Laststrom.
  3. Verdoppeln Sie anschließend die Leiterbahnwiderstände.
  4. Bestimmen Sie den relativen Messfehler der Zweileitermessung.
  5. Erläutern Sie, wo die Sense-Leitungen auf einer realen Leiterplatte angeschlossen werden müssen.

  • Das ideale Widerstandsmodell beschreibt nur einen Teil des realen Bauteilverhaltens.
  • Ein Datenblatt wird ausgehend von einer konkreten Schaltungsanforderung gelesen.
  • Verlustleistung und thermischer Widerstand bestimmen gemeinsam die Temperaturerhöhung eines Bauteils.
  • Baugröße beeinflusst Fertigung, thermisches Verhalten und Belastbarkeit, legt diese Eigenschaften aber nicht allein fest.
  • Ein Shunt erzeugt ein Messsignal, beeinflusst aber gleichzeitig den Laststromkreis.
  • Bei Milliohm-Widerständen müssen Leiterbahn- und Kontaktwiderstände mit betrachtet werden.
  • Kelvin-Anschlüsse trennen Laststrompfad und Messpfad.
  • Reale Schalter besitzen endliche Ein- und Ausschaltwiderstände und bilden die Grundlage elektronischer Logik.

In der Motortreiberschaltung ändern sich Spannungen und Ströme nicht nur zwischen zwei statischen Zuständen. Durch die Pulsweitenmodulation treten periodische Signale mit unterschiedlichen Frequenzanteilen auf.

Im nächsten Block werden deshalb Frequenzgang, Dezibel und Bode-Diagramm als grundlegende Werkzeuge eingeführt.